采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
阈值电压：4.5V@250μA
输入电容：1.228nF@100V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
阈值电压：4.5V@250μA
输入电容：1.228nF@100V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4511AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.515nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：490mΩ@10V，5.5A
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4511AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.515nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：490mΩ@10V，5.5A
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4511AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.515nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：490mΩ@10V，5.5A
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4511AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.515nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：490mΩ@10V，5.5A
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT13N50SF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.58nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：20pF@25V
导通电阻：480mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
