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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：25W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@25V
反向传输电容：4.5pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：2Ω@10V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
