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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0902NSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：16.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0921NDI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：8.9nC€33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0923NDI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：10nC€18.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.8mΩ€2.1mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.205nF@15V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V，11A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0921NDI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：8.9nC€33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.205nF@15V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V，11A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
