品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1250UFEL-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:400mV
栅极电荷:1.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1250UFEL-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:400mV
栅极电荷:1.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN16M0UCA6-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
连续漏极电流:17A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1250UFEL-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:400mV
栅极电荷:1.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1250UFEL-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:400mV
栅极电荷:1.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
输入电容:515pF@6V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):DMN1250UFEL-7
包装方式:Reel
栅极电荷:1.9nC
连续漏极电流:2A
导通电阻:450mΩ
阈值电压:400mV
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:MOSFET
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.385nF@6V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.385nF@6V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
栅极电荷:19.6nC@8V
类型:2个N沟道
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存: