品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCT03N06-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:500mV
栅极电荷:6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2523P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:42W
阈值电压:5V
栅极电荷:9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: