包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI050N06D1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：825pF@30V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：11mΩ@10A，10V

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCG50P03-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2.8V@250μA

栅极电荷：111.7nC@10V

输入电容：6.464nF@15V

连续漏极电流：50A

类型：1个P沟道

导通电阻：6.2mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT6515J

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：62nC@10V

输入电容：1.82nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：180pF@25V

导通电阻：15mΩ@10V，25A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT6515G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：62nC@10V

输入电容：1.82nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：180pF@25V

导通电阻：15mΩ@10V，25A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCG50P03-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2.8V@250μA

栅极电荷：111.7nC@10V

输入电容：6.464nF@15V

连续漏极电流：50A

类型：1个P沟道

导通电阻：6.2mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI050N06D1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：825pF@30V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：11mΩ@10A，10V

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI050N06D1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：825pF@30V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：11mΩ@10A，10V

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI050N06D1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：825pF@30V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：11mΩ@10A，10V

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI050N06D1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：825pF@30V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：11mΩ@10A，10V

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB2710

工作温度：-55℃~+150℃

功率：260W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.28nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

导通电阻：42.5mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC076N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：6.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1