首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    工作温度
    类型
    漏源电压
    20V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个P沟道
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G29

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:1.151nF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G45P02D3 起订21个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G45P02D3 起订21个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G45P02D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:80W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    输入电容:3.5nF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065U-13 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3485C 起订27个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3485C 起订27个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3485C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:550mV@250μA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@10V

    导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN336P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN336P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KL3-TP 起订28个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KL3-TP 起订28个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KL3-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@16V

    连续漏极电流:660mA

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:9pF@16V

    导通电阻:450mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧