采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.26Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：7nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
