采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
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栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
功率：2.5W€190W
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
功率：2.5W€190W
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
包装方式：管件
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4150pF@25V
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
