采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2812T1L-E2-AT
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3740pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：4.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
