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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K48FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K48FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44MFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44MFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
