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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2309CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2309CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM2309CX RFG
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功率：1.56W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
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功率：15.6W
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栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
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连续漏极电流：7A
类型：P沟道
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输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TSM2309CX RFG
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输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
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规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
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功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：3.1A
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类型：P沟道
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连续漏极电流：3.1A
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连续漏极电流：7A
类型：P沟道
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输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.56W
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连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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导通电阻：190mΩ@3A，10V
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连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
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