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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
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功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
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功率：3W
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栅极电荷：63nC@10V
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功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
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输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
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功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：18A€68A
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
漏源电压：60V
功率：3W
输入电容：3230pF@30V
栅极电荷：63nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14.5A€47A
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.7V@200µA
功率：3W
输入电容：1880pF@30V
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L120GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.7mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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