采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L015SPTL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L015SPTL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：83323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：6HP04CH-TL-W
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.1pF@20V
连续漏极电流：370mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
