品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1571}
销售单位:个
规格型号(MPN):6HP04MH-TL-W
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.1pF@20V
连续漏极电流:370mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
工作温度:150℃
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:82pF@10V
栅极电荷:3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: