采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150℃
功率：211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD041N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€29W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ510N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ510N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ510N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD060N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDR005N25TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：8.8Ω@250mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
