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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2CR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L14FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流：800mA€720mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L36FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA€330mA
类型：N和P沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1544
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L35FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA€100mA
类型：N和P沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUE002N02TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
