销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP

工作温度：150℃

功率：2.5W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：235pF@50V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：4.5Ω@1A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP

工作温度：150℃

功率：2.5W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：235pF@50V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：4.5Ω@1A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP

工作温度：150℃

功率：2.5W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：235pF@50V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：4.5Ω@1A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB

工作温度：150℃

功率：650mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：17nC@5V

包装方式：剪切带（CT）

输入电容：850pF@10V

连续漏极电流：5A

类型：P沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1