品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: