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    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3566(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订31个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订31个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3565(Q,M) 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订25个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订25个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订74个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订74个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订25个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9J90E,S1E 起订25个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9J90E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4210 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4210

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€190W

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3700(F) 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3700(F) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3700(F)

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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