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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
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输入电容：1800pF@25V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
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输入电容：1800pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
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栅极电荷：17nC@10V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
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