品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK14G65W,RQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@690µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@300V
连续漏极电流:13.7A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: