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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
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功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
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输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
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导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
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连续漏极电流：18A
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导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：62.5W
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输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
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导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
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连续漏极电流：18A
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
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阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：62.5W
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
输入电容：540pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-40YS，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：550pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：95mΩ@10V，4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
