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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    输入电容:1.03nF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订10个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订10个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订250个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订2个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI100N10PQ 起订2个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI100N10PQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.4nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    输入电容:1.03nF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订16个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订16个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG200N08 起订4个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG200N08 起订4个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG200N08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG90N08P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:85nC@10V

    输入电容:3.95nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG08N68P 起订9个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG08N68P 起订9个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG08N68P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:125W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.2nF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:180pF@30V

    导通电阻:6.5mΩ@10V,45A

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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