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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
