采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN5L06DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS7002A
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002/HAMR
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT456P
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23452，"16+"：126}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP100，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2004LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：750mA€600mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2500，"04+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMC1300R2
工作温度：-65℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@20V
连续漏极电流：2.2A€1.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601VKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12NM50
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN5L06K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS7002A
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS7002A
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HR
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
