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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 3V@1mA
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8107,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8107,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCP8107,LF

    工作温度:175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2160pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ30S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ30S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:68W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ50S06M3L,LXHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ50S06M3L,LXHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ30S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ30S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:68W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ40S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ40S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:68W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4140pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ80S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ80S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:158nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7770pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ8S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ8S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ8S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:104mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ80S04M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ80S04M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:158nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7770pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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