品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:9mΩ@14A,10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:52W
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1088pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N-Channel
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N-Channel
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N-Channel
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N-Channel
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N-Channel
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT64M8LCG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:990mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2664pF@30V
连续漏极电流:16.1A€77.8A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V€790pF@30V
连续漏极电流:14A€38A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: