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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.4V@250µA
    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~150℃
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    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

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    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ECCN:EAR99

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    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    库存:

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    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    功率:350mW

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    ECCN:EAR99

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    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:21
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:260mW

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    库存:

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    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

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    栅极电荷:20nC@10V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT64M8LCG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT64M8LCG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT64M8LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:990mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2664pF@30V

    连续漏极电流:16.1A€77.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@30V

    连续漏极电流:34.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@30V

    连续漏极电流:34.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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