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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.1A€3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3066LQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3066LQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3066LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD175XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:225mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1496
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":525,"21+":2031,"22+":14309,"23+":1545}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86012

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5075pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:179
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17312Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5240pF@15V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@35A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NXP Mosfet场效应管 PMG370XN,115
    NXP Mosfet场效应管 PMG370XN,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"15+":105000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMG370XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4007
    NXP Mosfet场效应管 PMPB16XN,115
    NXP Mosfet场效应管 PMPB16XN,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":108000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4007
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6601LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€2.5A

    类型:N-Channel

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8850NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB95XNE,115
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB95XNE,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":309000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB95XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:475mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5342
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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