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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订25个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订25个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    连续漏极电流:300mA

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    连续漏极电流:300mA

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C632NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C632NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W€115W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@25V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15823
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002KW
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002KW

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C668NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C668NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002BKW,115

    工作温度:150℃

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW€2.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.2pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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