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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 7nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N15TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N15TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2410}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N15TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1366
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP3N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17109,"19+":1001,"23+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订2230个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订2230个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD113PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD113PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD113PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@800mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17109,"19+":1001,"23+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3527
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30
    onsemi Mosfet场效应管 FQP3N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP3N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:257
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1181,"22+":65831,"23+":114000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2871
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