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    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    功率:2.1W

    栅极电荷:17nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:879pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:17nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:879pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1267
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:128mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3121}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1221
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:1.2A€2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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