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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 100nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€146W

    阈值电压:2.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@20V

    连续漏极电流:45A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2369}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:246
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N-Channel

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N-Channel

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€146W

    阈值电压:2.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@20V

    连续漏极电流:45A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€146W

    阈值电压:2.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@20V

    连续漏极电流:45A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB075N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€146W

    阈值电压:2.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@20V

    连续漏极电流:45A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2369}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB044N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB044N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB044N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@75V

    连续漏极电流:174A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@87A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N-Channel

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€146W

    阈值电压:2.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@20V

    连续漏极电流:45A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7800pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N-Channel

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB075N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM70060EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM70060EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    导通电阻:4.6mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5802NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5802NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5802NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€93.75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5025pF@25V

    连续漏极电流:16.4A€101A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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