采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：130，"10+"：26145，"11+"：14322，"12+"：54870，"13+"：5326，"14+"：27000，"16+"：3000，"17+"：303694，"MI+"：6060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR220TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：57.5mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
