品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":131242}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1213}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3435-AZ
功率:1.5W€84W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1213}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3435-AZ
功率:1.5W€84W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":131242}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7805}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":131242}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":131242}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":131242}
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
栅极电荷:60nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:13mΩ@25A,10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3.2nF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB66616L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2870pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:38.5A€140A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB66616L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2870pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:38.5A€140A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@16A,10V
包装方式:管件
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":131242}
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
栅极电荷:60nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:13mΩ@25A,10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3.2nF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: