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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 5.8nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:60+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:5.36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS225H6327FTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS225H6327FTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS225H6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:131pF@25V

    连续漏极电流:90mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@90mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:5.36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:5.36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.1W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:5.36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:5.36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS225H6327FTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS225H6327FTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS225H6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:131pF@25V

    连续漏极电流:90mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@90mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.1W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.1W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R3K3P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R3K3P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.1W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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