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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
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功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2305
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功率：1.7W
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栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2305
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功率：1.7W
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栅极电荷：7.8nC@4.5V
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连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
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功率：1.5W
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连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：1140pF@10V
功率：1.8W
栅极电荷：12.5nC@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
栅极电荷：7.8nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.5W
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：20V
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：0.75A
类型：N-Channel
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：482pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
