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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1347
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NXP Mosfet场效应管 SI2302DS,215 起订1496个装
    NXP Mosfet场效应管 SI2302DS,215 起订1496个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DS,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:650mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1496
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02FRATL
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02FRATL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF025N02FRATL

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    导通电阻:39mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8M1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF025N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02FRATL
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02FRATL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF025N02FRATL

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    导通电阻:39mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8M1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3446T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ025P02HZGTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ025P02HZGTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ025P02HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 TT8M1TR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8M1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C025TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3446T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3446T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
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