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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：150mW
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输入电容：42pF@10V
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功率：150mW
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输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.86nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KE-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L36FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA€330mA
类型：N和P沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
