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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
