采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：330mW
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类型：N和P沟道互补型
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规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
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功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
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连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
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功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
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输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
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输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
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输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.74nC@4.5V
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.74nC@4.5V
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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