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    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1140pF@10V

    功率:1.8W

    栅极电荷:12.5nC@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:17.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207SPH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207SPH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AO3420
    AOS Mosfet场效应管 AO3420

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    AOS Mosfet场效应管 AO3420
    AOS Mosfet场效应管 AO3420

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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