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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 5A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:90+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@4.3A,1.8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB43XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPE,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPE,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB43XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XPEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:36mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB43XPEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB43XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@4.3A,1.8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050BCTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:36mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
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