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    72nC@4.5V 2.18nC@10V 26nC@10V 1.54nC@8V 20nC@4.5V 12nC@10V 38nC@10V 43.2nC@4.5V 125nC@10V 30nC@10V 118nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 28nC@4.5V 5.2nC@4.5V 57nC@4.5V 9.6nC@4.5V 10.2nC@4.5V 14.4nC@4.5V 6.5nC@4.5V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 53nC@4.5V 16nC@5V 19nC@4.5V 5.5nC@4.5V 6.4nC@4.5V 15nC@4.5V 12.8nC@4.5V 10nC@4.5V 103nC@10V 7.2nC@4.5V 4.8nC@4.5V 15.7nC@4.5V 90nC@8V 23.1nC@4.5V 23nC@4.5V 4.7nC@4.5V 2.5nC@5V 42nC@5V 100nC@4.5V 113nC@10V 12nC@4.5V 17nC@4.5V 260nC@10V 3.9nC@4.5V 39nC@4.5V 4.5nC@4.5V 4nC@4.5V 17.3nC@4.5V 7.8nC@4.5V 183nC@10V 2.5nC@4.5V 34nC@4.5V 1.2nC@4.5V 10.4nC@4.5V 12.5nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 9.3nC@4.5V 6nC@4.5V 225nC@10V 10.1nC@4.5V 6.2nC@4.5V 8.6nC@4.5V 85nC@10V 8nC@4.5V 3.1nC@4V 34.8nC@4.5V 5.4nC@10V 1.9nC@4.5V 35nC@4.5V 6.3nC@4.5V 19.5nC@4.5V 25nC@10V 3.1nC@4.5V 14.5nC@4.5V 4.4nC@4.5V 180nC@10V 2.9nC@4.5V 5nC@4.5V 22.1nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 7.7nC@4.5V 23.4nC@4.5V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 27nC@10V 5.3nC@4.5V 59nC@8V 30nC@5V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 177nC@10V 6.9nC@4.5V 10nC@10V 80nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 5.6nC@4.5V 60nC@8V 6.6nC@4.5V 7.5nC@4.5V 21nC@8V 25nC@4.5V 130nC@4.5V 7.3nC@4.5V 63nC@10V 56nC@4.5V 70nC@4.5V 300nC@10V 1.3nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 96nC@10V 4.6nC@4.5V 1.6nC@4.5V 17.2nC@4.5V 3.5nC@4.5V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 6.8nC@4.5V 12nC@5V 44nC@8V 5.5nC@4V 1.5nC@4.5V 72nC@10V 190nC@10V 9.1nC@4.5V 3.4nC@10V 24nC@10V 2.3nC@4.5V 181nC@10V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 110nC@10V 36nC@4.5V 1.7nC@4.5V 330nC@10V 182nC@5V 585nC@10V 15.5nC@4.5V 1.14nC@4.5V 33nC@8V 162nC@10V 4.3nC@4.5V 1.5nC@8V 1.33nC@4.5V 12.4nC@5V 36nC@8V 93.8nC@8V 91.8nC@4.5V 19nC@8V 7.4nC@4.5V 9.7nC@4.5V 3.3nC@4.5V 11.9nC@4.5V 120nC@4.5V 5.7nC@4.5V 23nC@8V 116nC@4.5V 24nC@4.5V 1.2nC@4V 50nC@5V 125nC@4.5V 20.5nC@4.5V 45nC@8V 60.2nC@10V 12.3nC@4.5V 168nC@8V 310nC@10V 65nC@5V 88nC@4.5V 7.7nC@4V 38.5nC@8V 24.8nC@4.5V 0.622nC@4.5V 0.8nC@4.5V 0.62nC@4.5V 19.1nC@4.5V 0.4nC@4.5V 0.58nC@4.5V 0.5nC@4.5V 99nC@8V 180nC@8V 149nC@10V 0.5nC@4V 14.1nC@4.5V 61nC@4.5V 13nC@8V 16.6nC@4.5V 109nC@4.5V 0.86nC@4.5V 10.98nC@4.5V 26.7nC@4.5V 9.8nC@4.5V 43.5nC@5V 236nC@8V 10.6nC@4.5V 0.959nC@4.5V 62nC@8V 0.8nC@8V 0.91nC@4.5V 0.96nC@4.5V 0.91nC@10V 22.5nC@4.5V 29.9nC@4.5V
    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:3500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415AE_R1_00001 起订7个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415AE_R1_00001 起订7个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415AE_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3423A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@4.5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:57mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2323CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2323CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2323CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    UMW Mosfet场效应管 SI2305A
    UMW Mosfet场效应管 SI2305A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 SI2305A
    UMW Mosfet场效应管 SI2305A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3423A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@4.5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3413_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3413_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3413_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:522pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
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