采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
