采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
输入电容：4340pF@400V
栅极电荷：93nC@10V
连续漏极电流：46A
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
漏源电压：650V
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
ECCN：EAR99
导通电阻：180mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
