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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 650V
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:80+
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    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMD990N65EC_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

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    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

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    类型:N沟道

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    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

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    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:78W

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    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

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    功率:78W

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:650V

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    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

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    漏源电压:650V

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    库存:

    - +
    起购:50
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:78W

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    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

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    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

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    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

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    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:78W

    漏源电压:650V

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:901pF@50V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:441
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOTF11S65L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF11S65L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF11S65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:646pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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