采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
