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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 12nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:21000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:30000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    ECCN:EAR99

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    栅极电荷:12nC@10V

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

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    功率:1.25W

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

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    栅极电荷:12nC@10V

    阈值电压:2.1V@250µA

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    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:528pF@15V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

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    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7503TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7503TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:24mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4178DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4178DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:17mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:823pF@15V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:24mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4128DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N03LSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N03LSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:17A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS9342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@25V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:40mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N03LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC052N03LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:17A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS9342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@25V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:24mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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