采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：3W
类型：P沟道
输入电容：2800pF@15V
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03S
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：3W
类型：P沟道
输入电容：2800pF@15V
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N-Channel
导通电阻：5.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N-Channel
导通电阻：5.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17307Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€73A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17302Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：16A€87A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@14A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A€80A
类型：N-Channel
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
