采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：N-Channel
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：N-Channel
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：N-Channel
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：N-Channel
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
